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Galaxy S5拆解、芯片级分析

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hotfox 发表于 2014-4-2 20:18:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

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iFixit、ChipWorks是一对好基友网站,前者擅长拆解维修,后者专精芯片级分析与显微观察。对于某一款设备,通常都是iFixit先拆机,ChipWorks再放出他们的芯片报告,不过前者最近似乎有些懒惰,很长时间了只拆了个HTC One M8。
对于三星的新旗舰Galaxy S5,ChipWorks忍不住先动手了,发布了初步的芯片报告,其中也包含多张拆解照片,不过分析还在进行之中,所以更深层次的显微观察还得再等等。
ChipWorks表示,他们对S5最感兴趣的地方有三个,后边会一一考察。
本次下手的机器是韩国本土版SM-G900S,整体硬件规格还是那样,但在网络方面会有所不同。
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拆解部分只有几张图而没有任何文字说明,还是等iFixt吧。
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经过辨别,Galaxy S5里的大量芯片中有六颗来自高通,而且都是特别关键的,三星自己的只有内存、闪存。
高通的芯片有:
- 骁龙801 MSM8974AC 2.4GHz处理器(封装在内存颗粒之下)
- PMC8974电源管理单元
- QFE1100封包追踪功率放大器
- WFR1620射频接收器
- WFR1625L射频收发器
- WCD9320音频编码器
其他芯片:
- Avago A7007功率放大器(Band 7)
- Avago ACPM-7617多模多频功率放大器(EDGE/3G/LTE)
- Avago +ACW薄膜腔声波谐振器(FBAR)
- Audience ADNC ES704独立音频处理器
- FCI FC8080地面数字多媒体广播调谐器(韩国版独有)
- Invensense MP65M P02881 L1405六轴陀螺仪/加速计
- Lattice LPIK9D低功耗FPGA
- Maxim MAX77804K可编程片上系统
- Maxim MAX77826(可能是管理电池的)
- NXP 47803 NFC加安全模块
- 三星K3QF2F0DA 2GB内存
- 三星KLMBG4GEAC 32GB闪存
- Silicon Image SIMG 8240B0 MHL发射器
此外,据说生化传感器也是来自Maxim,但目前还找不到具体在哪里。(苹果的M7协处理器就费了好大劲才找到)
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有两颗芯片无法确定身份,其一表面写着“32HUBI A5006V0 W 404 A”,可能是传感器中心,意法半导体制造。
另一颗表面编号“4452M3 E309G4”,似乎来自Semco或者意法半导体,并高度怀疑是Wi-Fi无线模块,那么内部封装的应该是博通BCM4354。
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摄像头
Galaxy S5最亮的地方之一就是新的1600万像素、1/2.6"主摄像头。之前三星在S2、S3、Note3上使用的都是索尼传感器,这次终于用了自己的ISOCELL CMOS技术,号称能减少30%的干扰、提升30%的光敏全阱容量,自认为是取代背照式(BSI)的下一代传感器技术。
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下边就是三星ISCOCELL 800万像素传感器的横断面显微图,可以看到前侧深槽隔离(F-DTI)、垂直传输栅极(VTG)两个关键技术。
注意这不是来自S5的,但技术原理是相通的。稍后就会放出S5的进行对比。
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专用心率监测仪
在手机背部紧挨着LED闪光灯,使用红光、红外光照射你的手指,检测因脉搏跳动引起的手指表面压力变化而获得心率数据。
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它的背面是一颗编号“C1N78B YMP4 1412”的芯片,可能是某种微控制器。
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指纹传感器
iPhone 5S放在了Home键里,三星的做法则截然不同,并分为两部分,指纹传感器在Home键里,还接受触摸屏的输入,需要同时使用才能载入你的ID。
触摸屏里的那部分可以检测手指挥动,然后启动Home键里的传感器,而传感器本身可以做更多动作。
更具体的情况还需要进一步研究。
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