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Galaxy S5/Note 4处理器确认 20nm工艺/性能彪悍

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hotfox 发表于 2013-11-6 22:40:34 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在屏幕分辨率确定之后,三星明年的旗舰产品所采用的处理器型号也正式确认了。

毫无疑问,64位将会是明年的主旋律,在高通确认跟风苹果加入64位处理器家族之后,三星也在今天正式宣布明年将会推出基于64位架构设计的产品。

从三星公布的资料来看,明年他们旗下采用64位架构设计的处理器将有两大系列,其一是采用标准ARM Cortex-A50架构设计的,而另一个系列则是三星自主研发的架构(这应该是三星首次自主研发ARM处理器架构),当然,这要用到ARM的指令集。

从昨天曝光的Intel幻灯片来看,采用Cortex-A50架构设计的64位处理器命名应该是Exynos 6系列,而三星自主研发架构的产品则应该是Exynos S系列。以目前的骁龙800(MSM8974)作为基准的话,Exynos S系列的性能能够达到骁龙800的1.43倍,而Exynos 6系列的性能则能够达到骁龙800的1.53倍,强于NVIDIA的下一代产品Tegra 5以及高通的下一代产品APQ8094。

制造工艺方面,三星的下一代处理器将会采用20nm Gate Last High-K / Metal Gate工艺,新的工艺能让Exynos处理器的工作电压从1V降低到0.9V,功耗自然会有所改善。

此外,虽然三星的14nm FinFET工艺已经开始试产,但要到2015年才能正式量产,2016年则会量产10nm工艺,之后肯定会进入个位数时代。

Exynos 6处理器的首发机型必然是Galaxy S5无疑了,而到Galaxy Note 3上则很有可能采用三星自主研发架构的Exynos S系列,其性能绝对值得我们期待。

当然,即便是下一代Exynos处理器的性能足够强悍,三星也离不开高通的处理器,毕竟LTE/LTE-A网络三星暂时是无法搞定的,只能借助高通的基带来实现。
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